項目名(míng)稱：
碳基集成電(diàn)路芯片及産(chǎn)業化應用(yòng)
産(chǎn)業化公(gōng)司名(míng)稱：
北京華碳元芯電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限責任公(gōng)司

出資主體(tǐ)：

北京首都科(kē)技(jì )發展集團有(yǒu)限公(gōng)司

項目簡介

北京大學(xué)彭練矛教授及其團隊創造性地提出并實現了碳納米管“無摻雜CMOS技(jì )術”，解決了碳基集成電(diàn)路的一系列基礎問題，發展了高性能(néng)碳管CMOS晶體(tǐ)管和光電(diàn)器件的批量制備技(jì )術，并率先實現了中(zhōng)等規模的碳基集成電(diàn)路制備。2015年9月30日，首發展集團與項目團隊聯合發起設立平台公(gōng)司，開展碳基集成電(diàn)路的産(chǎn)業化工(gōng)作(zuò)。公(gōng)司實現了性能(néng)接近量子極限的碳基晶體(tǐ)管、三維光電(diàn)集成系統，有(yǒu)望将集成電(diàn)路技(jì )術推進到3納米節點以下，實現速度更快、功耗更低、集成度更高的新(xīn)型碳基集成電(diàn)路芯片，推動未來信息技(jì )術的發展, 為(wèi)後摩爾時代的電(diàn)子學(xué)帶來新(xīn)一輪的繁榮。

高性能(néng)碳管CMOS晶體(tǐ)管和光電(diàn)器件的批量制備技(jì )術

項目亮點

·形成了具(jù)有(yǒu)完整自主知識産(chǎn)權的碳基集成電(diàn)路新(xīn)體(tǐ)系，相關研究成果14次寫入國(guó)際半導體(tǐ)技(jì )術發展路線(xiàn)圖。

·團隊研制的10nm碳納米管CMOS器件是唯一性能(néng)超過Intel 14nm矽基CMOS器件，

·團隊研制的5nm碳納米管CMOS器件将晶體(tǐ)管性能(néng)推至理(lǐ)論極限，相關成果發表于《科(kē)學(xué)》期刊并入選2017年中(zhōng)國(guó)高校十大科(kē)技(jì )進展。

·2018年習近平總書記在北京大學(xué)考察期間曾對研究院碳基集成電(diàn)路相關成果給與高度評價。
 

彭練矛教授向習近平總書記講解碳芯片技(jì )術

1.5nm碳納米管CMOS器件