項目名(míng)稱：
第三代半導體(tǐ)材料及應用(yòng)聯合創新(xīn)基地
産(chǎn)業化公(gōng)司名(míng)稱：
北京國(guó)聯萬衆半導體(tǐ)科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司

出資主體(tǐ)：

北京首都科(kē)技(jì )發展集團有(yǒu)限公(gōng)司

項目簡介

公(gōng)司定位為(wèi)第三代半導體(tǐ)材料及應用(yòng)聯合創新(xīn)基地的建設及運營主體(tǐ)單位，基地将建成包括第三代半導體(tǐ)工(gōng)藝平台、封裝(zhuāng)測試平台、檢測及可(kě)靠性平台、服務(wù)平台等四大基礎平台，成為(wèi)國(guó)内第一、國(guó)際一流的第三代半導體(tǐ)公(gōng)共服務(wù)平台。平台将采取開放聯合、共享合作(zuò)的方式，為(wèi)第三代半導體(tǐ)材料及應用(yòng)聯合創新(xīn)基地提供研發支撐和條件保證；吸引國(guó)内外第三代半導體(tǐ)研發、設計、封裝(zhuāng)、模塊、應用(yòng)及金融、服務(wù)等企業入駐園區(qū)，形成産(chǎn)業創新(xīn)體(tǐ)系和可(kě)持續發展的生态環境，從戰略高度，全面、深入整合和利用(yòng)國(guó)際資源；培育和打造第三代半導體(tǐ)龍頭企業，促進産(chǎn)學(xué)研用(yòng)合作(zuò)以及跨界應用(yòng)的開放協同創新(xīn)，實現創新(xīn)驅動發展，為(wèi)北京發展第三代半導體(tǐ)新(xīn)興産(chǎn)業起到引領和帶動作(zuò)用(yòng)。
 

MOSFET器件

項目亮點

·2016年3月，獲得了中(zhōng)關村科(kē)技(jì )園區(qū)管理(lǐ)委員會授予的“中(zhōng)關村國(guó)家自主創新(xīn)示範區(qū)特色産(chǎn)業孵化平台”稱号；

·2017年11月，獲得科(kē)技(jì )部授予的“國(guó)家級衆創空間稱号，

·2018年10月31日，獲得高新(xīn)企業證書。